電験3種過去問【2020年機械 問10】

【パワーエレクトロニクス】IGBTとパワーMOSFETに関する知識《正誤問題》

 パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年、主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。両者を比較した記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

(1)IGBTは電圧駆動形であり、ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。

(2)パワーMOSFETは電流駆動形であり、キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。

(3)パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり、バイポーラ形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。

(4)IGBTはバイポーラトランジスタにパワーMOSFETの特徴を組み合わせることにより、スイッチング特性を改善している。

(5)パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで、高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になる。

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解答 

(2)

解説

(2)は誤り。 パワーMOSFETは電圧駆動形であり、キャリア蓄積効果がないのでスイッチング速度が早く、スイッチング損失特性はIGBTに比べ優れている