電験3種過去問【2013年理論 問11】

2020年8月23日

【電子回路】不純物半導体に関する知識《空所問題》

次の文章は、不純物半導体に関する記述である。

 極めて高い純度に精製されたケイ素(Si)の真性半導体に、微量のリン(P)、ヒ素(As)などの【(ア)】価の元素を不純物として加えたものを【(イ)】形半導体といい、このとき加えた不純物を【(ウ)】という。
 ただし、Si、P、Asの原子番号は、それぞれ14,15,33である。

 上記の記述中の空白個所(ア)、(イ)及び(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

  (ア) (イ) (ウ)
(1) 5 p アクセプタ
(2) 3 n ドナー
(3) 3 p アクセプタ
(4) 5 n アクセプタ
(5) 5 n ドナー
解答と解説はこちら

解答

(5)

解説

 シリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)の真性半導体にⅤ族の元素を不純物として微量だけ加えたものはn形半導体という。
 真性半導体にⅢ族の元素を不純物として微量だけ加えたものをp形半導体という。